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SI5468DC-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SI5468DC-T1-GE3
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	TrenchFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SMD, Flat Lead
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 6.8A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	435pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V