Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SSM6J216FE,LF |
Descrição: | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
---|---|
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | U-MOSVI |
Fet tipo | P-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±8V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Temperatura operacional | 150°C |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 700mW (Ta) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | ES6 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 12V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 12V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 4.8A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |