Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SSM6J511NU,LF |
Descrição: | MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | U-MOSVII |
Fet tipo | P-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±10V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 4A, 8V |
Dissipação de energia (Max) | 1.25W (Ta) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 6-UDFNB (2x2) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 12V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3350pF @ 6V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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