Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | BSS169H6327XTSA1 |
Descrição: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | SIPMOS® |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | Depletion Mode |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 360mW (Ta) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SOT-23-3 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 7V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 100V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 68pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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