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APTGT50H170TG

Fabricantes:	Microsemi Corporation
Categoria do Produto:	Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica:	APTGT50H170TG
Descrição:	IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Microsemi Corporation
Categoria do Produto	Transistors - IGBTs - Modules
Entrada	Standard
Série	-
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Parte Status	Active
Potência - Máximo	312W
Configuração	Full Bridge Inverter
Tipo de montagem	Chassis Mount
NTC Thermistor	Yes
Pacote / Caso	SP4
Temperatura operacional	-40°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores	SP4
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 50A
Atual - Colecionador (Ic) (Max)	75A
Input Capacitance (Cies) @ Vce	4.4nF @ 25V
Atual - Corte de colecionador (Max)	250µA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max)	1700V