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GSID100A120T2C1

Fabricantes:	Global Power Technologies Group
Categoria do Produto:	Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica:	GSID100A120T2C1
Descrição:	SILICON IGBT MODULES
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Global Power Technologies Group
Categoria do Produto	Transistors - IGBTs - Modules
Entrada	Three Phase Bridge Rectifier
Série	Amp+™
Tipo IGBT	-
Parte Status	Active
Potência - Máximo	640W
Configuração	Three Phase Inverter
Tipo de montagem	Chassis Mount
NTC Thermistor	Yes
Pacote / Caso	Module
Temperatura operacional	-40°C ~ 150°C
Pacote de dispositivos de fornecedores	Module
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Atual - Colecionador (Ic) (Max)	200A
Input Capacitance (Cies) @ Vce	13.7nF @ 25V
Atual - Corte de colecionador (Max)	1mA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max)	1200V