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MT47H512M4THN-25E:H

Fabricantes: Micron Technology Inc.
Categoria do Produto: Memory
Ficha técnica: MT47H512M4THN-25E:H
Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria do Produto Memory
Série -
Embalagem Tray
Tecnologia SDRAM - DDR2
Tempo de acesso 400ps
Tamanho da memória 2Gb (512M x 4)
Tipo de memória Volatile
Parte Status Obsolete
Formato de memória DRAM
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 63-TFBGA
Frequência do relógio 400MHz
Número da parte base MT47H512M4
Interface da memória Parallel
Tensão - Fornecimento 1.7V ~ 1.9V
Temperatura operacional 0°C ~ 85°C (TC)
Pacote de dispositivos de fornecedores 63-FBGA (8x10)
Escrever tempo de ciclo - Palavra, Página 15ns

Em Estoque 0 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Achados de Pechincha

MT47H512M4EB-3:C
Micron Technology Inc.
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MT47H512M4EB-187E:C
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MT47H256M8THN-3 IT:H
Micron Technology Inc.
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MT47H256M8THN-25E IT:H
Micron Technology Inc.
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MT47H256M8EB-187E:C
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MT47H256M4CF-3 IT:H
Micron Technology Inc.
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