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MT47H512M4EB-187E:C

Fabricantes: Micron Technology Inc.
Categoria do Produto: Memory
Ficha técnica: MT47H512M4EB-187E:C
Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria do Produto Memory
Série -
Embalagem Tray
Tecnologia SDRAM - DDR2
Tempo de acesso 350ps
Tamanho da memória 2Gb (512M x 4)
Tipo de memória Volatile
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Formato de memória DRAM
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 60-TFBGA
Frequência do relógio 533MHz
Número da parte base MT47H512M4
Interface da memória Parallel
Tensão - Fornecimento 1.7V ~ 1.9V
Temperatura operacional 0°C ~ 85°C (TC)
Pacote de dispositivos de fornecedores 60-FBGA (9x11.5)
Escrever tempo de ciclo - Palavra, Página 15ns

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MT47H256M8THN-3 IT:H
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MT47H256M8THN-25E IT:H
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MT47H256M8EB-187E:C
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MT47H256M4CF-3 IT:H
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MT47H256M4CF-25:H
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MT47H128M4CF-187E:G
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