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SQS460ENW-T1_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SQS460ENW-T1_GE3
Descrição: MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série *
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® 1212-8W
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 39W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® 1212-8W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 755pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em Estoque 1836 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Achados de Pechincha

SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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NVGS5120PT1G
ON Semiconductor
$0
SQJA60EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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