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SQS415ENW-T1_GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SQS415ENW-T1_GE3
Descrição:	MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	PowerPAK® 1212-8W
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.1mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max)	62.5W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PowerPAK® 1212-8W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4825pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V