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SQD10N30-330H_GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SQD10N30-330H_GE3 |
| Descrição: | MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA |
| Status rohs: | Compatível com RoHS |
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Digi-Reel® |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330mOhm @ 14A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 107W (Tc) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-252AA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 300V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2190pF @ 25V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em Estoque 2000 pcs
| Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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