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SQ2315ES-T1_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SQ2315ES-T1_GE3
Descrição: MOSFET P-CHAN 12V SOT23
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Fet tipo P-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 12V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 4V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Em Estoque 13409 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Achados de Pechincha

SI2318DS-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
CSD16301Q2
Texas Instruments
$0.19
SI2309CDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
ZXMP6A17E6TA
Diodes Incorporated
$0.56
FQT7N10LTF
ON Semiconductor
$0
DMN6068SE-13
Diodes Incorporated
$0