Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SISS98DN-T1-GE3 |
Descrição: | MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8 |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | ThunderFET® |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | PowerPAK® 1212-8 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 7A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 57W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | PowerPAK® 1212-8 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 7.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 200V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 608pF @ 100V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 14.1A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.06 | $1.04 | $1.02 |