Imagem é apenas para referência, veja especificações do produto
SISH106DN-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SISH106DN-T1-GE3 |
| Descrição: | MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH |
| Status rohs: | Compatível com RoHS |
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | TrenchFET® |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Digi-Reel® |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | PowerPAK® 1212-8SH |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max) | 1.5W (Ta) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | PowerPAK® 1212-8SH |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 12.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Em Estoque 5990 pcs
| Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Cotação de solicitação
Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato o mais rápido possível
Achados de Pechincha
