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SIS822DNT-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIS822DNT-T1-GE3
Descrição: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® 1212-8
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 10V
Dissipação de energia (Max) 15.6W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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PMV55ENEAR
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PMPB20ENZ
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MCH3376-TL-E
ON Semiconductor
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PMN48XP,125
Nexperia USA Inc.
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FM6K62010L
Panasonic Electronic Components
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