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SIS776DN-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SIS776DN-T1-GE3 |
| Descrição: | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 |
| Status rohs: | Compatível com RoHS |
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | SkyFET®, TrenchFET® |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | Schottky Diode (Body) |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | PowerPAK® 1212-8 |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Temperatura operacional | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | PowerPAK® 1212-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 30V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 15V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Em Estoque 0 pcs
| Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.42 | $0.41 | $0.40 |
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