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SIS698DN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIS698DN-T1-GE3
Descrição: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® 1212-8
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 19.8W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 6.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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