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SIRA14DP-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIRA14DP-T1-GE3
Descrição: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) +20V, -16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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Achados de Pechincha

RQ6E080AJTCR
ROHM Semiconductor
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RTL020P02TR
ROHM Semiconductor
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FDMS7558S
ON Semiconductor
$0
BUK9M23-80EX
Nexperia USA Inc.
$0
BUK7Y53-100B,115
Nexperia USA Inc.
$0
NVD3055L170T4G
ON Semiconductor
$0.67