Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SIJ800DP-T1-GE3 |
Descrição: | MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8 |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | TrenchFET® |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | PowerPAK® SO-8 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 20A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | PowerPAK® SO-8 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 40V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 20V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.43 | $0.42 | $0.41 |