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SIJ800DP-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIJ800DP-T1-GE3
Descrição: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max) 4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 20V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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Achados de Pechincha

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