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SIHB30N60AEL-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SIHB30N60AEL-GE3
Descrição:	MOSFET N-CHAN 600V D2PAK
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	EL
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)	250W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-263 (D²Pak)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2565pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V