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SIA416DJ-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SIA416DJ-T1-GE3 |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L |
| Status rohs: | Compatível com RoHS |
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | TrenchFET® |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Digi-Reel® |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | PowerPAK® SC-70-6 |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83mOhm @ 3.2A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 100V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 50V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 11.3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Em Estoque 524 pcs
| Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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