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SI5935CDC-T1-E3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	SI5935CDC-T1-E3
Descrição:	MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	TrenchFET®
Fet tipo	2 P-Channel (Dual)
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Fet recurso	Standard
Parte Status	Active
Potência - Máximo	3.1W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SMD, Flat Lead
Número da parte base	SI5935
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores	1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	4A