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SI4618DY-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI4618DY-T1-GE3
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série TrenchFET®
Fet tipo 2 N-Channel (Half Bridge)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Fet recurso Standard
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 1.98W, 4.16W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 8A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1535pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 8A, 15.2A

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Achados de Pechincha

FDMS3660S-F121
ON Semiconductor
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FDMC8200S_F106
ON Semiconductor
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APTMC60TL11CT3AG
Microsemi Corporation
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PMDPB95XNE,115
NXP USA Inc.
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PMDPB70EN,115
Nexperia USA Inc.
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PMDPB56XN,115
NXP USA Inc.
$0