Imagem é apenas para referência, veja especificações do produto

SI4346DY-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI4346DY-T1-E3
Descrição: MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 8A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.31W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 5.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V

Em Estoque 839 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.72 $0.71 $0.69

Cotação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato o mais rápido possível

Achados de Pechincha

FQD7N20LTM
ON Semiconductor
$0
TPH11006NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
NVTFS5C478NLWFTAG
ON Semiconductor
$0
IPB042N03LGATMA1
Infineon Technologies
$0
IRF540ZSTRLPBF
Infineon Technologies
$0
CPC3902ZTR
IXYS Integrated Circuits Division
$0