Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SI4202DY-T1-GE3 |
Descrição: | MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | TrenchFET® |
Fet tipo | 2 N-Channel (Dual) |
Embalagem | Digi-Reel® |
Fet recurso | Logic Level Gate |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 3.7W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 8A, 10V |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 30V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 15V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 12.1A |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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