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SI3456DDV-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI3456DDV-T1-GE3
Descrição: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 6.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em Estoque 104094 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Achados de Pechincha

ZXMN2F30FHTA
Diodes Incorporated
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CPH6341-TL-W
ON Semiconductor
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DMN4060SVT-7
Diodes Incorporated
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DMN2230UQ-7
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PMV16XNR
Nexperia USA Inc.
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