Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SI3456DDV-T1-GE3 |
Descrição: | MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | TrenchFET® |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 5A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 6-TSOP |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 30V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 15V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 6.3A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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