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SI2304BDS-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI2304BDS-T1-GE3
Descrição: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série TrenchFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max) 750mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em Estoque 45756 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Achados de Pechincha

NTJS3151PT1G
ON Semiconductor
$0.1
BSH103,215
Nexperia USA Inc.
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BSH103,235
Nexperia USA Inc.
$0
AO3422
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.49
BST82,215
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$0.5
IRLML6402TRPBF
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$0