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TPH2010FNH,L1Q

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPH2010FNH,L1Q
Descrição: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série U-MOSVIII-H
Fet tipo N-Channel
Embalagem Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198mOhm @ 2.8A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SOP Advance (5x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 250V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 5.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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