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TPC8036-H(TE12L,QM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPC8036-H(TE12L,QM
Descrição: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série U-MOSVI-H
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Temperatura operacional 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max) 1W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SOP (5.5x6.0)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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2SK3868(Q,M)
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2SK3844(Q)
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2SK3662(F)
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2SK3466(TE24L,Q)
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2SK3462(TE16L1,NQ)
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