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TK10E60W,S1VX
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | TK10E60W,S1VX |
| Descrição: | MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220 |
| Status rohs: | Compatível com RoHS |
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | DTMOSIV |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Tube |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | Super Junction |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-220-3 |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
| Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 4.9A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 100W (Tc) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 600V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 300V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em Estoque 0 pcs
| Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.65 | $2.60 | $2.55 |
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