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SSM3J306T(TE85L,F)

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SSM3J306T(TE85L,F)
Descrição:	MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	-
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117mOhm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max)	700mW (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TSM
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 15V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V