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RN4987FE,LF(CT

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: RN4987FE,LF(CT
Descrição: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 100mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Frequência - Transição 250MHz, 200MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores ES6
Resistor - Base de Emissores (R2) 47kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em Estoque 27595 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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