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RN1909(T5L,F,T)

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica:	RN1909(T5L,F,T)
Descrição:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série	-
Embalagem	Digi-Reel®
Parte Status	Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo	200mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1)	47kOhms
Frequência - Transição	250MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores	US6
Resistor - Base de Emissores (R2)	22kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max)	100mA
Atual - Corte de colecionador (Max)	100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max)	50V