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RN1906FE(T5L,F,T)
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria do Produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Ficha técnica: | RN1906FE(T5L,F,T) |
| Descrição: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Status rohs: | Compatível com RoHS |
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria do Produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Série | - |
| Embalagem | Cut Tape (CT) |
| Parte Status | Obsolete |
| Potência - Máximo | 100mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Frequência - Transição | 250MHz |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | ES6 |
| Resistor - Base de Emissores (R2) | 47kOhms |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
| Atual - Corte de colecionador (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V |
Em Estoque 0 pcs
| Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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