Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoria do Produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Ficha técnica: | RN1904FE,LF(CT |
Descrição: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria do Produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Série | - |
Embalagem | Digi-Reel® |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 100mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
Frequência - Transição | 250MHz |
Pacote de dispositivos de fornecedores | ES6 |
Resistor - Base de Emissores (R2) | 47kOhms |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
Atual - Corte de colecionador (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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