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RN1413(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: RN1413(TE85L,F)
Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Embalagem Digi-Reel®
Parte Status Active
Potência - Máximo 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Frequência - Transição 250MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores S-Mini
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 100mA
Atual - Corte de colecionador (Max) 100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 50V

Em Estoque 5675 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Achados de Pechincha

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DTD123TKT146
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DTB143EKT146
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DTC323TKT146
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DTC623TUT106
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DTB513ZETL
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