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RN1130MFV,L3F
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria do Produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Ficha técnica: | RN1130MFV,L3F |
| Descrição: | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| Status rohs: | Compatível com RoHS |
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria do Produto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Série | - |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Parte Status | Active |
| Potência - Máximo | 150mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | SOT-723 |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Frequência - Transição | 250MHz |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | VESM |
| Resistor - Base de Emissores (R2) | 100 kOhms |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
| Atual - Corte de colecionador (Max) | 500nA |
| DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 50V |
Em Estoque 0 pcs
| Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.03 | $0.03 | $0.03 |
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