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RN1106,LF(CT

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica:	RN1106,LF(CT
Descrição:	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série	-
Embalagem	Digi-Reel®
Parte Status	Active
Potência - Máximo	100mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SC-75, SOT-416
Tipo de transistor	NPN - Pre-Biased
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Frequência - Transição	250MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores	SSM
Resistor - Base de Emissores (R2)	47 kOhms
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max)	100mA
Atual - Corte de colecionador (Max)	500nA
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max)	50V