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MT3S111(TE85L,F)
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria do Produto: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Ficha técnica: | MT3S111(TE85L,F) |
| Descrição: | RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI |
| Status rohs: | Compatível com RoHS |
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria do Produto | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Ganhar | 12dB |
| Série | - |
| Embalagem | Digi-Reel® |
| Parte Status | Active |
| Potência - Máximo | 700mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tipo de transistor | NPN |
| Temperatura operacional | 150°C (TJ) |
| Frequência - Transição | 11.5GHz |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | S-Mini |
| Figura do ruído (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Atual - Colecionador (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) | 6V |
Em Estoque 6629 pcs
| Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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