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HN4B01JE(TE85L,F)

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica:	HN4B01JE(TE85L,F)
Descrição:	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série	-
Embalagem	Digi-Reel®
Parte Status	Active
Potência - Máximo	100mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-553
Tipo de transistor	NPN, PNP (Emitter Coupled)
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Frequência - Transição	80MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores	ESV
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max)	150mA
Atual - Corte de colecionador (Max)	100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 10MA, 100MA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max)	50V