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2SC2235-Y(T6ND,AF

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica:	2SC2235-Y(T6ND,AF
Descrição:	TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria do Produto	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série	-
Embalagem	Bulk
Parte Status	Obsolete
Potência - Máximo	900mW
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tipo de transistor	NPN
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Frequência - Transição	120MHz
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-92MOD
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
Atual - Colecionador (Ic) (Max)	800mA
Atual - Corte de colecionador (Max)	100nA (ICBO)
DC Ganho Atual (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 100mA, 5V
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max)	120V