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TH58NVG2S3HBAI6

Fabricantes:	Toshiba Memory
Categoria do Produto:	USB Flash Drives
Ficha técnica:	TH58NVG2S3HBAI6
Descrição:	NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Rohs	Details
Marca	Toshiba Memory
Embalagem	Tray
Tamanho da memória	4 Gbit
Tipo de memória	NAND
Subcategoria	Memory & Data Storage
Fabricante	Toshiba
Organização	512 M x 8
Tipo de produto	NAND Flash
Largura de ônibus de dados	8 bit
Tipo de interface	Parallel
Estilo de montagem	SMD/SMT
Pacote / Caso	VFBGA-67
Categoria do Produto	NAND Flash
Umidade sensível	Yes
Voltagem da fonte - máximo	3.6 V
Tensão da fonte - Min	2.7 V
Quantidade do bloco da fábrica	210
Temperatura máxima de operação	+ 85 C
Temperatura operacional mínima	- 40 C