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TC58NYG2S3EBAI5
| Fabricantes: | Toshiba Memory |
|---|---|
| Categoria do Produto: | USB Flash Drives |
| Ficha técnica: | TC58NYG2S3EBAI5 |
| Descrição: | NAND Flash 1.8V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM) |
| Status rohs: | Compatível com RoHS |
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Rohs | Details |
| Marca | Toshiba Memory |
| Velocidade | 25 ns |
| Produto | NAND Flash |
| Embalagem | Tray |
| Tamanho da memória | 4 Gbit |
| Tipo de memória | NAND |
| Subcategoria | Memory & Data Storage |
| Tipo de tempo | Synchronous |
| Arquitetura | Block Erase |
| Fabricante | Toshiba |
| Organização | 512 M x 8 |
| Tipo de produto | NAND Flash |
| Largura de ônibus de dados | 8 bit |
| Tipo de interface | Parallel |
| Estilo de montagem | SMD/SMT |
| Pacote / Caso | TFBGA-63 |
| Categoria do Produto | NAND Flash |
| Umidade sensível | Yes |
| Corrente de fornecimento - Max | 30 mA |
| Voltagem da fonte - máximo | 1.95 V |
| Tensão da fonte - Min | 1.7 V |
| Quantidade do bloco da fábrica | 180 |
| Frequência máxima do relógio | - |
| Temperatura máxima de operação | + 85 C |
| Temperatura operacional mínima | - 40 C |
Em Estoque 0 pcs
| Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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