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TH58BYG2S3HBAI6
| Fabricantes: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| Categoria do Produto: | Memory |
| Ficha técnica: | TH58BYG2S3HBAI6 |
| Descrição: | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| Status rohs: | Compatível com RoHS |
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Memory America, Inc. |
| Categoria do Produto | Memory |
| Série | Benand™ |
| Embalagem | Tray |
| Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
| Tempo de acesso | 25ns |
| Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
| Tipo de memória | Non-Volatile |
| Parte Status | Active |
| Formato de memória | FLASH |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 67-VFBGA |
| Interface da memória | Parallel |
| Tensão - Fornecimento | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura operacional | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Escrever tempo de ciclo - Palavra, Página | 25ns |
Em Estoque 338 pcs
| Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $5.13 | $5.03 | $4.93 |
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