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TC58BYG2S0HBAI6

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Categoria do Produto: Memory
Ficha técnica: TC58BYG2S0HBAI6
Descrição: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Status rohs: Compatível com RoHS
Atributo Valor do atributo
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Categoria do Produto Memory
Série Benand™
Embalagem Tray
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Tempo de acesso 25ns
Tamanho da memória 4Gb (512M x 8)
Tipo de memória Non-Volatile
Parte Status Active
Formato de memória FLASH
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 67-VFBGA
Interface da memória Parallel
Tensão - Fornecimento 1.7V ~ 1.95V
Temperatura operacional -40°C ~ 85°C (TA)
Pacote de dispositivos de fornecedores 67-VFBGA (6.5x8)
Escrever tempo de ciclo - Palavra, Página 25ns

Em Estoque 2 pcs

Preço de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.58 $4.49 $4.40

Cotação de solicitação

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Achados de Pechincha

W978H6KBVX2I
Winbond Electronics
$4.52
AS4C8M16D1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
$3.1
W25Q256JVFIQ
Winbond Electronics
$3.05
S25FL128LAGMFI001
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$2.88
IS25WP064A-RHLE
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$2.35
IS25WP032D-RMLE
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$2.02