Fabricantes: | Texas Instruments |
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Categoria do Produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | CSD25202W15 |
Descrição: | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA |
Status rohs: | Compatível com RoHS |
Atributo | Valor do atributo |
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Fabricante | Texas Instruments |
Categoria do Produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | NexFET™ |
Fet tipo | P-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | -6V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 9-UFBGA, DSBGA |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 2A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 500mW (Ta) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 9-DSBGA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 10V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Preço de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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