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TSM900N06CW RPG

Fabricantes:	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TSM900N06CW RPG
Descrição:	MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	Taiwan Semiconductor Corporation
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max)	25W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	SOT-223
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V