Imagem é apenas para referência, veja especificações do produto

STW58N65DM2AG

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	STW58N65DM2AG
Descrição:	MOSFET N-CH 650V 48A
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-247-3
Número da parte base	STW58N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 24A, 10V
Dissipação de energia (Max)	360W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V