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STW18N60DM2

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	STW18N60DM2
Descrição:	MOSFET N-CH 600V 12A
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	MDmesh™ DM2
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-247-3
Número da parte base	STW18N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	295mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max)	90W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V