Imagem é apenas para referência, veja especificações do produto

STI33N65M2

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoria do Produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	STI33N65M2
Descrição:	MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Status rohs:	Compatível com RoHS

Atributo	Valor do atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoria do Produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	MDmesh™ M2
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número da parte base	STI33N
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max)	190W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1790pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V